化學氣相沉積(CVD)工藝技術特點
化學(xue)氣(qi)相沉積(CVD)是用(yong)化學(xue)方法(fa)使反(fan)(fan)應(ying)氣(qi)體在(zai)零件(jian)基材表(biao)(biao)面(mian)(mian)發生化學(xue)反(fan)(fan)應(ying)而形成覆蓋層的(de)方法(fa)。通常(chang)(chang)CVD是在(zai)高溫(wen)(800~1000℃)和常(chang)(chang)壓或低(di)壓下進行的(de),沉積裝置如圖3-13所(suo)示(shi)。 a.反(fan)(fan)應(ying)氣(qi)體向工(gong)件(jian)表(biao)(biao)面(mian)(mian)擴散(san)并被吸(xi)附。 b.吸(xi)收工(gong)件(jian)表(biao)(biao)面(mian)(mian)的(de)各種...